TRSxE65F SiC肖特基势垒二极管

Toshiba TRSxE65F SiC肖特基势垒二极管采用第二代芯片设计，有TRS6E65F和TRS8E65F两种型号可选。TRSxE65F二极管具有高浪涌电流、小结电容和小反向电流。这些二极管的尺寸为10.05mm x 15.3mm x 4.45mm 。TRSxE65F肖特基势垒二极管非常适合用于功率因数校正、不间断电源和直流-直流转换器。

结果: 7
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
配置
If - 正向电流
Vrrm - 重复反向电压
Vf - 正向电压
Ifsm - 正向浪涌电流
Ir - 反向电流
最大工作温度
封装
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 V=650 IF=8A
数据表
7库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.45 V 69 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 2A RDL SIC SKY
数据表
5库存量
300在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 2 A 650 V 1.45 V 21 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 10A RDL SIC SKY
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 83 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 12A RDL SIC SKY
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 97 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 3A RDL SIC SKY
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 3 A 650 V 1.45 V 27 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 RECT 650V 4A RDL SIC SKY
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 39 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba 碳化硅肖特基二极管 V=650 IF=6A
数据表
交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.45 V 55 A 300 nA + 175 C Tube