DMN601WKQ N沟道增强模式MOSFET
Diodes Inc. DMN601WKQ N沟道增强模式MOSFET具有静电放电 (ESD) 保护功能，开关速度快。这些MOSFET具有低导通电阻(RDS(ON))、低阈值电压、低输入电容和低输入/输出漏电流。这些MOSFET的湿度敏感度 为符合J-STD-020标准的第1级。DMN601WKQ MOSFET符合AEC-Q101标准，具有PPAP（生产件批准程序）功能。这些MOSFET不含铅、锑和卤素，可采用 S0T323封装。
Diodes Inc. DMN601WKQ N沟道增强模式MOSFET具有静电放电 (ESD) 保护功能，开关速度快。这些MOSFET具有低导通电阻(RDS(ON))、低阈值电压、低输入电容和低输入/输出漏电流。这些MOSFET的湿度敏感度 为符合J-STD-020标准的第1级。DMN601WKQ MOSFET符合AEC-Q101标准，具有PPAP（生产件批准程序）功能。这些MOSFET不含铅、锑和卤素，可采用 S0T323封装。