DMN3012LEG-7

Name: Diodes Incorporated DMN3012LEG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN3012LEG-7
Price: 18.3 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

621-DMN3012LEG-7

制造商编号：

DMN3012LEG-7

制造商：

Diodes Incorporated

说明：

MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

数据表:

DMN3012LEG-7 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Diodes Incorporated DMN3012LEG-7详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Diodes Incorporated
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerDI3333-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	10 A, 20 A
Rds On-漏源导通电阻:	12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.1 V
Qg-栅极电荷:	6.1 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.2 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Diodes Incorporated
配置:	Dual
下降时间:	2.3 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2.7 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	6.4 ns
典型接通延迟时间:	5.1 ns
单位重量:	30 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

DMN3012LEG-7 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DMN3012LEG MOSFET

Diodes Incorporated DMN3012LEG MOSFET是一款30V同步N沟道增强模式 MOSFET，具有低导通电阻和快速开关速度。这款MOSFET符合RoHS指令，具有低输入电容和提升的可靠性，生产时通过了 100%无钳位电感开关(UIS) 耐用性测试。DMN3012LEG MOSFET采用横向扩散MOS (LDMOS)设计，可降低功耗，并针对高功率密度、高效率和高频能力进行了优化。该MOSFET非常适合用于直流－直流转换器和高效率电源管理应用。

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.