IRF40B207单N沟道HEXFET™功率MOSFET

Infineon IRF40B207单N沟道HEXFET™功率MOSFET具有增强的结体二极管dV/dt 和dl/dt 能力。该MOSFET具有提高的栅极、雪崩和动态dv/dt 强度。该MOSFET的典型静态漏-源级导通电阻是3.6mΩ。该功率MOSFET符合RoHS指令，还具有还具有充分特征化的电容以及雪崩安全工作区 (SOA)。应用包括有刷和无刷电机驱动器应用、电池供电电路、半桥和全桥拓扑、电源和电源开关。IRF40B207不含铅，不含卤素，采用TO-220AB 封装。