NTTFD1D8N02P1E

Name: onsemi NTTFD1D8N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFD1D8N02P1E
Price: 18.23 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTTFD1D8N02P1E

制造商编号：

NTTFD1D8N02P1E

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET FET 25V 1.8 MOHM PC33 DUAL

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

NTTFD1D8N02P1E 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PQFN-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	25 V, 25 V
Id-连续漏极电流:	61 A, 126 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.4 mOhms, 4.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 12 V, 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V, 2 V
Qg-栅极电荷:	12 nC, 37.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	25 W, 36 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Dual
下降时间:	1.7 ns, 5.2 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	1.1 ns, 2.3 ns
系列:	NTTFD1D8N02P1E
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	17.3 ns, 37.6 ns
典型接通延迟时间:	6.6 ns. 9.4 ns

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已选择的属性: 0

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数据表

NTTFD1D8N02P1E 数据表 (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTTFD1D8N02P1E N 通道 MOSFET

安森美NTTFD1D8N02P1E N沟道MOSFET是一款双通道25V电源夹非对称器件。该N沟道MOSFET具有4.2mΩ HS、1.4mΩ LS和25V_{DSS 漏}极-源极电压。NTTFD1D8N02P1E MOSFET还具有低_{RDS (on)}，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低_QG 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。该MOSFET采用PQFN12小尺寸 (3.3mm x 3.3mm)，设计紧凑。NTTFD1D8N02P1E器件适用于直流/直流转换器和系统电压轨。