XPT™ GenX5™沟槽式IGBT

IXYS XPT™ GenX5™沟槽式IGBT采用专有的XPT薄景园技术和先进的第5代 (GenX5) 沟槽式IGBT工艺研发而成。这些器件具有低热阻、低能耗、快速开关、低拖尾电流和高电流密度等特性。 XPT GenX5沟槽式IGBT具有方形反向偏置安全工作区 (RBSOA)，击穿电压高达650V，因此非常适合用于无缓冲硬开关应用。这些IGBT还包括一个正集电极-发射极电压温度系数，使设计人员能够并联使用多个器件，满足大电流要求。这些器件的栅极电荷低，有助于降低栅极驱动要求和开关损耗。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
数据表
135库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 220 A 650 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
数据表
303库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 290 A 830 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
数据表
265库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Tube