结果: 3
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
数据表
135库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 220 A 650 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
数据表
258库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 290 A 830 W - 55 C + 175 C Tube