DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

结果: 113
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7A
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 88.3 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.1 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11.5 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=100W F=1MHZ
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 2,000
倍数： 2,000
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 11.5 A 340 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 75

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 265 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W DTMOSIV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 104W 890pF 11.5A
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms 104 W DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
卷轴: 1,000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=139W F=1MHZ
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
卷轴: 1,000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 139 W DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
数据表
无库存交货期 32 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba TK17V65W,LQ
Toshiba MOSFET DFN8x8-OS PD=156W 1MHz PWR MOSFET TRNS
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=230W F=1MHZ
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 94 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8 8 PD=240W F=1MHZ
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 5,000
倍数： 5,000
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 90 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET DFN8x8-OS PD=240W 1MHz PWR MOSFET TRNS
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube