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NVHL110N65S3F

Name: onsemi NVHL110N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL110N65S3F
Price: 54.02 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVHL110N65S3F

制造商编号：

NVHL110N65S3F

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO247

数据表:

NVHL110N65S3F 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	30 A
Rds On-漏源导通电阻:	110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	58 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	240 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	SuperFET III
封装:	Tube
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	16 ns
正向跨导 - 最小值:	17 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	32 ns
系列:	SuperFET3
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	61 ns
典型接通延迟时间:	29 ns
单位重量:	6 g

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数据表

NVHL110N65S3F 数据表

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVHL110N65S3F 650V 30A SUPERFET® III功率MOSFET

安森美半导体NVHL110N65S3F 650V 30A SUPERFET® III功率MOSFET是一款符合AEC-Q101标准的高电压超级结 (SJ) MOSFET，采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。借助电荷平衡技术，可最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能够承受极高的dV/dt速率。NVHL110N65S3F SUPERFET III MOSFET非常适合用于需要小尺寸和高效率的电源系统。NVHL110N65S3F还具有经过优化的反向恢复体二极管性能，从而减少了额外需要的元件数量，并提高了系统可靠性。

SuperFET® III MOSFET

安森美(onsemi) SuperFET® III MOSFET是高压超结 (SJ) N沟道MOSFET，旨在满足电信、服务器、电动汽车 (EV) 充电器和太阳能产品的高功率密度、系统效率和超高可靠性要求。此系列器件拥有出色的可靠性、低电磁干扰、超高的效率和卓越的热性能，是高性能应用的理想选择。除高性能外，SuperFET III MOSFET还通过丰富的封装选项为产品设计师提供高度的灵活性，特别是在尺寸受限的设计中。