QPA261x X频段功率放大器

Qorvo QPA261x X波段功率放大器是高性能放大器,采用0.15 µm碳化硅基氮化镓工艺 (QGaN15) 制造而成。  这些功率放大器支持相控阵雷达应用的紧密晶格间距要求。QPA261x放大器具有匹配至50Ω的射频输入和输出端口,包括集成式DC阻断电容器。这些功率放大器的储存温度范围为-55°C至+150  °C。 Qorvo QPA261x放大器的最大工作栅极电压范围为-4V至0V。这些功率放大器非常适合用于雷达、通信和卫星通信。

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 工作频率 工作电源电压 工作电源电流 增益 类型 安装风格 封装 / 箱体 技术 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Qorvo 射频放大器 8.5-10.5 GHz 2W
500预期 2026/3/26
最低: 1
倍数: 1

8.5 GHz to 10.5 GHz 20 V 56 mA 38.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-24 GaN SiC - 40 C + 85 C QPA2610 Bag
Qorvo 射频放大器 8.5-10.5 GHz 2W 无库存交货期 20 周
最低: 500
倍数: 500
卷轴: 500

8.5 GHz to 10.5 GHz 20 V 56 mA 38.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-24 GaN - 40 C + 85 C QPA2610 Reel
Qorvo 射频放大器 8-12 GHz 5W PA
375库存量
600预期 2026/3/9
最低: 1
倍数: 1

8 GHz to 12 GHz 24 V 105 mA 35.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-24 GaN SiC - 40 C + 85 C QPA2611 Bag
Qorvo 射频放大器 8-12 GHz 12W PA
66库存量
最低: 1
倍数: 1

8 GHz to 12 GHz 24 V 250 mA 34.2 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-24 GaN SiC - 40 C + 85 C QPA2612 Tray
Qorvo 射频放大器 8-12 GHz 5W PA
无库存交货期 20 周
最低: 500
倍数: 500
卷轴: 500

8 GHz to 12 GHz 24 V 105 mA 35.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-24 GaN - 40 C + 85 C QPA2611 Reel
Qorvo 射频放大器 8-12 GHz 12W PA
无库存交货期 20 周
最低: 250
倍数: 250
卷轴: 250

8 GHz to 12 GHz 24 V 250 mA 34.2 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-24 GaN - 40 C + 85 C QPA2612 Reel