QPD0007评估板
Qorvo QPD0007评估板设计用于评估单极不匹配QPD0007 GaN射频晶体管的特性和功能。这些射频晶体管是SiC高电子迁移率晶体管(HEMT),采用DFN封装,工作频率范围为直流至5GHz。Qorvo QPD0005射频晶体管可在+48V电压下提供20W P3dB 输出功率。典型应用包括WCDMA/LTE、宏蜂窝基站、微蜂窝基站、通用、小型蜂窝、有源天线和5 G大规模MIMO。
Qorvo QPD0007评估板设计用于评估单极不匹配QPD0007 GaN射频晶体管的特性和功能。这些射频晶体管是SiC高电子迁移率晶体管(HEMT),采用DFN封装,工作频率范围为直流至5GHz。Qorvo QPD0005射频晶体管可在+48V电压下提供20W P3dB 输出功率。典型应用包括WCDMA/LTE、宏蜂窝基站、微蜂窝基站、通用、小型蜂窝、有源天线和5 G大规模MIMO。