BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET

Nexperia BUK7Y1R0-40N & BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET的设计和测试符合AEC-Q101的要求，具有高性能和高耐用性。这些MOSFET提供快速高效的开关，具有最佳的阻尼和低的尖峰。BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET采用LFPAK56封装。BUK7Y1R0-40N N沟道MOSFET采用Trench 15低欧姆增强型沟槽底部氧化物 (e-TBO) 技术，而BUK7Y3R1-80M则采用Trench 14低欧姆分离栅技术。这些N沟道MOSFET符合EU RoHS指令，具有175°C的最高结温范围。典型应用包括电机、照明和电磁阀控制、12V汽车系统和超高性能电源开关。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
Nexperia MOSFET BUK7Y1R0-40N/SOT669/LFPAK
数据表
125库存量
1,500预期 2026/11/23
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 320 A 970 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 135 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Nexperia MOSFET BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK
数据表
1,498库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 80 V 160 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement