TLP570xH IGBT和MOSFET隔离式栅极驱动器

Toshiba TLP570xH IGBT和MOSFET隔离式栅极驱动器是采用6引脚SO6L封装的光电耦合器。该器件让红外LED与集成高增益、高速光电探测器IC芯片进行光耦合。该驱动器可在高达125°C的温度下提供保证的性能和规格。TLP570xH比以前的8引脚DIP封装器件更小、更薄。该驱动器符合增强绝缘的国际安全标准。TLP570xH驱动器非常适合用于中小型IGBT和功率MOSFET栅极驱动器。

结果: 13
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
通道数量
Vf - 正向电压
Vr - 反向电压
If - 正向电流
绝缘电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
传播延迟—最大值
上升时间
下降时间
封装
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SMD/SMT SO-6 1 Channel 1.55 V 5 V 20 mA 5000 Vrms - 40 C + 125 C 40 mW 37 ns 50 ns Reel, Cut Tape, MouseReel
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SMD/SMT SO-6 1 Channel 1.55 V 5 V 20 mA 5000 Vrms - 40 C + 125 C 40 mW 37 ns 50 ns Tube
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SMD/SMT SO-6 1 Channel 1.55 V 5 V 20 mA 5000 Vrms - 40 C + 125 C 40 mW 200 ns 37 ns 50 ns Tube