AFGHL50T65RQDN

onsemi
863-AFGHL50T65RQDN
AFGHL50T65RQDN

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT - 650 V 50 A - Short circuit rated FS4 - Automotive qualified

ECAD模型:
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库存量: 354

库存:
354 可立即发货
生产周期:
17 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥56.0028 ¥56.00
¥32.1711 ¥321.71
¥27.3799 ¥3,285.59
¥26.0578 ¥13,289.48

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
20 V
78 A
346 W
- 55 C
+ 175 C
AFGHL50T65RQDN
Tube
商标: onsemi
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
找到的产品:
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已选择的属性: 0

USHTS:
8541290095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

FS4 IGBT

onsemi FS4 IGBT是一套强大、高效的解决方案,适用于各种工业和汽车应用。  onsemi FS4的最高结温为175 °C。 这些IGBT可以耐受最恶劣的工作条件。

AFGHL50T65RQDN 650V 50A IGBT

安森美半导体AFGHL50T65RQDN 650V 50A IGBT是采用创新技术的第四代场终止型IGBT。 安森美半导体AFGHL50T65RQDN可为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和PFC应用提供最佳性能。 该器件可确保最大限度地降低导通和开关损耗。