TK095N65Z5,S1F

Toshiba
757-TK095N65Z5S1F
TK095N65Z5,S1F

制造商：

说明：
MOSFET 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Toshiba TK095N65Z5,S1F详情

库存量: 30

库存：
30 可立即发货
生产周期：
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥57.2345 ¥57.23
¥38.6234 ¥386.23
¥32.4197 ¥3,890.36
¥29.5269 ¥15,058.72

产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
29 A
95 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
50 nC
+ 150 C
230 W
Enhancement
Tube
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 95 ns
典型接通延迟时间: 75 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TK095N65Z5硅N沟道(DTMOSVI) MOSFET

Toshiba  TK095N65Z5硅N沟道 (DTMOSVI) MOSFET是一款采用TO-247封装的650V、95m Ω 高速MOSFET。TK095N65Z5设计用于开关稳压器应用，具有快速恢复时间（典型值为115ns）和低漏源导通电阻（典型值为0.079Ω 。）该MOSFET具有高速开关特性和低电容。

Dtmosvi MOSFET

Toshiba DTMOSVI系列MOSFET具有低漏极-源极导通电阻 (RDS(ON)= 0.033 Ω（典型值）)。这些器件具有650V漏源电压和57A漏极电流。DTMOSVI系列MOSFET具有高速开关特性和较低电容。这些MOSFET非常适合用于开关电源应用。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。