功率MOSFET

YAGEO XSemi 功率MOSFET采用先进的加工技术 具有低导通电阻、 效率和成本效益。YAGEO XSemi 功率MOSFET提供多种封装,以满足不同应用的需求。该器件采用的封装广泛用于商业和工业应用。

结果: 79
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
YAGEO XSemi MOSFET P-CH -40V -3A SOT-23S 2,845库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 40 V 3 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 600V 0.0 53A SOT-23 1,522库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53 mA 72 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT-23S 1,714库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET P-CH -60V -1. 6A SOT-23S 1,604库存量
6,000预期 2026/11/10
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel