功率MOSFET

YAGEO XSemi 功率MOSFET采用先进的加工技术 具有低导通电阻、 效率和成本效益。YAGEO XSemi 功率MOSFET提供多种封装，以满足不同应用的需求。该器件采用的封装广泛用于商业和工业应用。

结果: 79
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT-23S
数据表
2,868库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET P-CH -60V -1. 6A SOT-23S
数据表
2,970库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 20V 0.2A SOT-723
数据表
10,000预期 2026/3/18
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 10,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 1.2 Ohms - 8 V, 8 V 1 V 700 pC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
数据表
6,000预期 2026/3/3
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 11 A, 7.3 A 18 mOhms, 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V, 2 V 5.2 nC, 6 nC - 55 C + 150 C 3.57 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel