FDD86102 N通道PowerTrench® MOSFET

Fairchild Semiconductor FDD86102 N通道PowerTrench® MOSFET采用其先进的PowerTrench工艺,针对导通电阻、关性能和耐用性进行了优化。Fairchild Semiconductor FDD86102 MOSFET具有高开关速度,高功率和电流处理能力,采用了应用广泛的表面贴装型封装。Fairchild PowerTrench MOSFET设计用于DC-DC转换应用。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装

onsemi MOSFET 100V N-Channel PowerTrench 11,960库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 8 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 13.4 nC - 55 C + 125 C 3.1 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET 881库存量
12,500在途量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 42 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 26 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel