60V TrenchT3 HiPerFET功率MOSFET

IXYS 60V TrenchT3™ HiPerFET™ 功率 MOSFET 是导通电阻超低的坚固器件，设计用于工业功率转换应用。TrenchT3 HiPerFET MOSFET 的导通电阻低至 3.1mΩ，可承受高达 175°C 的结温，并且在高雪崩电流水平下可耐受雪崩。由于 TrenchT3 HiPerFET 功率 MOSFET 具有高电流承载能力，因此可能无需并联多个器件。这样可以简化电源系统，同时提高其可靠性。此外，TrenchT3 HiPerFET MOSFET 的快速内置体二极管有助于实现高效率，特别是在高速开关期间。IXYS 60V TrenchT3 HiPerFET 功率 MOSFET 采用 TO-220、TO-263、TO-247 国际标准尺寸封装，具有设计灵活性。
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装

IXYS MOSFET 60V/220A TrenchT3
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 136 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 60V/270A TrenchT3
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 200 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube