2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管（FET）专为低压开关应用而设计。这些2N7002器件的最大漏源电压 (VDS) 为60V，漏极连续电流 (ID) 范围为105mA至210mA，导通电阻 [RDS(on)] 范围为7.5Ω至13.5Ω。这些FET提供快速开关性能和低栅极电荷，适用于信号处理、负载开关和电平转换应用。这款Diodes Inc.晶体管采用紧凑型SOT-23封装，可确保高密度电路设计的空间效率。此外，2N7002 FET不含铅，符合RoHS标准，专为自动化表面贴装组装而设计。
