2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管
Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管(FET)专为低压开关应用而设计。这些2N7002器件的最大漏源电压 (VDS) 为60V,连续漏极电流 (ID) 范围为105mA至210mA,低导通电阻 [RDS(on)] 范围为7.5Ω至13.5Ω。这些FET提供快速开关性能和低栅极电荷,适用于信号处理、负载开关和电平转换应用。这些Diodes Inc.晶体管采用SOT-23或SOT-323封装,确保了高密度电路设计的空间效率。此外,2N7002 FET采用无铅设计、符合RoHS标准,专为自动化表面贴装组装而设计。
