2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管

Diodes Incorporated 2N7002 N沟道增强模式场效应晶体管(FET)专为低压开关应用而设计。这些2N7002器件的最大漏源电压 (VDS) 为60V,连续漏极电流 (ID) 范围为105mA至210mA,低导通电阻 [RDS(on)] 范围为7.5Ω至13.5Ω。这些FET提供快速开关性能和低栅极电荷,适用于信号处理、负载开关和电平转换应用。这些Diodes Inc.晶体管采用SOT-23或SOT-323封装,确保了高密度电路设计的空间效率。此外,2N7002 FET采用无铅设计、符合RoHS标准,专为自动化表面贴装组装而设计。

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装

Diodes Incorporated MOSFET 60V 200mW 347,630库存量
948,000预期 2027/1/15
剪切带
¥1.7402
¥0.76049
¥0.66218
¥0.57856
¥0.51302
卷轴
¥0.36386
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 210 mA 5 Ohms 20 V 1 V 223 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 10K
30,000在途量
剪切带
¥1.9888
¥0.90965
¥0.7119
¥0.57856
¥0.51302
卷轴
¥0.51302
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,035
: 10,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 210 mA 13.5 Ohms 20 V 2.5 V 223 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET 2N7002 Family SOT323 T&R 3K
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 115 mA 13.5 Ohms 20 V 2 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape