SI6423ADQ-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SI6423ADQ-T1-GE3
SI6423ADQ-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET TSSOP8 P-CH 20V 10.3A

数据表:
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库存量: 5,749

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥12.0797 ¥12.08
¥7.6049 ¥76.05
¥5.0624 ¥506.24
¥3.9663 ¥1,983.15
¥3.6047 ¥3,604.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥3.1527 ¥9,458.10
¥2.9267 ¥17,560.20
¥2.8024 ¥25,221.60
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSSOP-8
P-Channel
1 Channel
20 V
12.5 A
9.8 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
112 nC
- 55 C
+ 150 C
2.2 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
下降时间: 36 ns
正向跨导 - 最小值: 70 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 4 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: TrenchFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 120 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
单位重量: 158 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Si6423ADQ P沟道20V MOSFET

Vishay/Siliconix Si6423ADQ P沟道20V MOSFET采用TSSOP-8封装，具有-20V漏源电压和20mJ单脉冲雪崩能量额定值。该MOSFET采用单一配置设计。它不含卤素，符合RoHS指令，100%通过Rg和UIS测试。Vishay Si6423ADQ P沟道20V MOSFET设计用于负载开关、电池开关和电源管理应用。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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