MCACx 30V-60V逻辑电平N沟道MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) MCACx 30V-60V逻辑电平N沟道MOSFET采用分离栅极沟槽(SGT) MOSFET技术。这些MOSFET为工程师提供独特的优势，可实现由MCU通过I/O端口直接驱动。MCACx MOSFET的最大栅极阈值电压范围为1.2V至2.5V，最大结－外壳热阻范围为1.2°C/W至1.6°C/W。这些MOSFET克服了设计挑战，同时提高了各种应用的运行和效率。MCACx MOSFET具有1.1mΩ至2.7mΩ的低 RDS(on) 值，可最大限度地降低损耗。这些MOSFET符合RoHS指令，采用大功率DFN5060封装，确保适合紧凑设计需求。典型应用包括电池管理系统、照明控制、电机驱动器、直流－直流转换器和低侧开关。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
数据表
4,943库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 240 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 114 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
数据表
4,978库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 89 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) MOSFET N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
数据表
4,852库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 49 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape