NXH40B120MNQ1SNG

Name: onsemi NXH40B120MNQ1SNG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH40B120MNQ1SNG
Price: 838.21 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NXH40B120MNQ1SNG

制造商编号：

NXH40B120MNQ1SNG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET模块 30KW Q1BOOST FULL SIC

数据表:

NXH40B120MNQ1SNG 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	SiC
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	156 W
系列:	NXH40B120MNQ1
封装:	Tray
商标:	onsemi
配置:	Dual
产品类型:	MOSFET Modules
工厂包装数量:	21
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	EliteSiC

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数据表

NXH40B120MNQ1SNG 数据表

PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

USHTS:: 8542390060
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 捷克共和国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NXH40B120MNQ1全碳化硅MOSFET模块

安森美 (onsemi) NXH40B120MNQ1全碳化硅MOSFET模块包含一个双全碳化硅升压级，包括三个40m Ω/1200V碳化硅MOSFET和三个40A/1200V碳化硅二极管。该碳化硅MOSFET模块包括三个额外的50A/1200V旁路整流器，用于浪涌电流限制。NXH40B120MNQ1模块具有低反向恢复、快速开关碳化硅二极管、低电感布局、可焊接引脚和热敏电阻器，无铅无卤无BFR，符合RoHS指令。该SiC MOSFET模块非常适合用于太阳能逆变器和不间断电源。