车用U-MOSX-H MOSFET

Toshiba 车用U-MOSX-H MOSFET符合AEC-Q101标准，具有低漏极-源极导通电阻。U-MOSX-H具有低漏电流IDSS=10µA（最大值）(VDS=100V)。该器件非常适合用于汽车、开关电压、稳压器、直流-直流转换器和电机驱动器等应用。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
封装
Toshiba MOSFET 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
数据表
产品评论
606库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 1.92 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 184 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 80 V, 0.0019 O@10V, SOP Advance(E), U-MOS?-H
数据表
3,381库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 238 A 1.9 mOhms 20 V 3.5 V 108 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape