DMTH601xLPSQ N沟道增强模式MOSFET

Diodes Inc. DMTH601xLPSQ 60V N沟道增强模式MOSFET设计用于满足汽车应用的严格要求。DMTH601xLPSQ MOSFET符合AEC-Q101标准，实施与运用PPAP（生产件批准程序），非常适合用于发动机管理系统、车身控制电子设备和直流-直流转换器。DMTH601xLPSQ MOSFET具有低R_DS(ON)、低输入电容和快速切换速度。DMTH601xLPSQ MOSFET采用Diodes Incorporated的独特PowerDI^®5060封装，额定温度达+175ºC，非板载高度<1.1mm。这使得DMTH601xLPSQ MOSFET非常适用于高温环境和薄型应用。