QspiNAND Flash Memory

Winbond QspiNAND Flash Memory is high-performance, low-power memory built with Single-Level Cell (SLC) memory technology and implementing 1-bit Error Correction Code (ECC) on all read and write operations. The integrated ECC detects and corrects errors and enables contiguous good memory (bad block management). This feature offloads these functions from an external controller. The QspiNAND Flash Memory also supports Executive-in-Place (XiP) functionality, in which an SoC or processor executes application code directly from the external flash memory without shadowing it to DRAM.

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 系列 存储容量 接口类型 组织 定时类型 数据总线宽度 电源电压-最小 电源电压-最大 电源电流—最大值 最小工作温度 最大工作温度 封装
Winbond NAND闪存 512Mb Serial NAND flash, 3V 3,328库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100

SMD/SMT WSON-8 W25N512GV 512 Mbit SPI 64 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
Winbond NAND闪存 1G-bit Serial NAND flash, 3V 432库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100

SMD/SMT TFBGA-24 W25N01GV 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tray

Winbond NAND闪存 1G-bit Serial NAND flash, 3V 1,187库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100

SMD/SMT SOIC-16 W25N01GV 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
Winbond NAND闪存 4G-bit Serial NAND flash, 3V 224库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 512 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
Winbond NAND闪存 1G-bit Serial NAND flash, 3V 42库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100

SMD/SMT WSON-8 W25N01GV 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
Winbond NAND闪存 1G-bit Serial NAND flash, 1.8V 106库存量
最低: 1
倍数: 1
最大: 100

SMD/SMT SOIC-16 W25N01JW 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube