STP80N240K6 MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6功率MOSFET基于终极MDmesh K6技术，基于20年的超级结技术STM经验。此款高压N沟道功率MOSFET具有超低栅极电荷和出色的RDS(on) x 面积。ST STP80N240K6 800 V功率MOSFET具有同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷，适用于需要出色功率密度和高效率的应用。
STMicroelectronics STP80N240K6 MDmesh K6功率MOSFET基于终极MDmesh K6技术，基于20年的超级结技术STM经验。此款高压N沟道功率MOSFET具有超低栅极电荷和出色的RDS(on) x 面积。ST STP80N240K6 800 V功率MOSFET具有同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷，适用于需要出色功率密度和高效率的应用。