OptiMOS™线性FET
英飞凌科技OptiMOS™线性FET是一套兼顾增强模式MOSFET饱和区域中通态电阻RDS(on)和线性模式功能操作的解决方案。该器件具有沟槽式MOSFET的先进RDS(on)和传统平面MOSFET的宽安全工作区。OptiMOS线性FET通过限制高涌入电流防止负载时损坏。
英飞凌科技OptiMOS™线性FET是一套兼顾增强模式MOSFET饱和区域中通态电阻RDS(on)和线性模式功能操作的解决方案。该器件具有沟槽式MOSFET的先进RDS(on)和传统平面MOSFET的宽安全工作区。OptiMOS线性FET通过限制高涌入电流防止负载时损坏。