OptiMOS™线性FET

英飞凌科技OptiMOS™线性FET是一套兼顾增强模式MOSFET饱和区域中通态电阻RDS(on)和线性模式功能操作的解决方案。该器件具有沟槽式MOSFET的先进RDS(on)和传统平面MOSFET的宽安全工作区。OptiMOS线性FET通过限制高涌入电流防止负载时损坏。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V 853库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 9.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 76 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS 5,565库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 3,493库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 84 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel