60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified DFN5060-8L package. Operating within a -55°C to +150°C junction temperature range, these MOSFETs provide a maximum power dissipation range from 20W to 50W and single pulse avalanche ratings (28A current, 39mJ energy). Applications include automotive LED lighting, wireless chargers, and DC/DC converters.

结果: 5
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
封装
Panjit MOSFET 60V 6m ohms AECQ101 qualified Solution for Automotive lighting
数据表
5,785库存量
剪切带
¥20.1818
¥12.8255
¥8.6897
¥6.9947
¥6.5314
卷轴
¥5.5596
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 68 A 6 mOhms 20 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 215 A
数据表
1,979库存量
¥23.7413
¥11.7407
¥10.509
¥8.4411
查看
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 215 A 2.6 mOhms 20 V 3 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 95 A
数据表
1,903库存量
¥16.1251
¥7.7292
¥6.893
¥5.4579
查看
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 95 A 6.1 mOhms 20 V 3 V 40 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 60 V, 64 A
数据表
1,419库存量
¥14.2267
¥6.7461
¥6.0003
¥4.7234
查看
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 64 A 9 mOhms 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Panjit MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
数据表
Si Reel