R60/R65 N通道功率MOSFET

ROHM Semiconductor R60/R65 N通道功率MOSFET提供单通道输出，漏源电压为600V或650V，采用TO-220FM-3/SOT-223-3封装。R60/R65 MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C/155°C，功率耗散选项为7.8W、6.6W、12.3W、9.1W、40W、46W、48W、53W、68W、74W或86W。R60/R65 N通道功率MOSFET非常适合用于开关应用。

结果: 56
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 258A N-CH MOSFET
数据表
553库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 258 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
数据表
600库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC + 150 C 114 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 600V 7A N-CH MOSFET
数据表
5,000库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 600V 9A N-CH MOSFET
数据表
4,949库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 60A N-CH MOSFET
数据表
600预期 2026/7/22
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 11A N-CH MOSFET
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 1,000
倍数： 1,000

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube