NX6008NBK N沟道沟槽式MOSFET

Nexperia NX6008NBK N沟道沟槽式MOSFET设计用于快速开关动作，具有低阈值电压。这些MOSFET工作的漏源电压 (VDS) 为60V，最大栅极-源极电压 (VGS) 为8V，结温范围 (TJ) 为-55°C至150°C。NX6008NBK MOSFET用于继电器驱动器、高速线路驱动器、低侧负载开关、开关电路等应用。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Nexperia MOSFET SOT363 2NCH 60V .22A
数据表
18,889库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 2.7 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 460 pC - 55 C + 150 C 286 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT23 N-CH 60V .27A
数据表
191,795预期 2027/2/8
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 270 mA 2.8 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 500 pC - 55 C + 150 C 330 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT363 N-CH 60V .25A
数据表
30,593预期 2026/2/18
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 2.8 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 500 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel