DE150 RF功率MOSFET

IXYS DE150 RF功率MOSFET具有大功率密度，采用Littelfuse先进的低Qg 工艺制造。这些N沟道增强型MOSFET有两种变体。DE150-102N02A的击穿电压为1000V，最大导通电阻为9.4Ω，栅极阈值电压为2.5V至4.5V，开关频率高达30MHz。DE150-501N04A的击穿电压为500V，最大导通电阻为1.5Ω，栅极阈值电压为2.5V至4V，开关频率高达>100MHz。这两种类型的MOSFET均采用6引脚扁平SMD电源封装，封装中集成了电气隔离的底部焊盘，以实现有效的散热。该封装设计用于易于安装，并且不需要绝缘体。IXYS DE150 RF功率MOSFET无铅，符合RoHS标准，提供+125°C的最大虚拟结温。

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