N01S8 1Mb 超低功耗串行 SRAM

onsemi N01S8x 1Mb 超低功耗串行 SRAM 具有高速性能和低功耗特性。 N01S8x SRAM 通过单芯片选择 (CS) 输入工作,采用简单的串行外设接口 (SPI) 协议。 在 SPI 模式下,单数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路与时钟 (SCK) 一起使用,以访问这些器件内的数据。 在 DUAL 模式下,使用两个复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 线路。 在四路模式式下,四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 线路与时钟一起使用,以访问存储器。 N01S8x SRAM 可在 -40°C 至 +85°C 的宽温度范围内工作,采用 8 引脚 TSSOP 封装。
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结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 存储容量 组织 访问时间 最大时钟频率 接口类型 电源电压-最大 电源电压-最小 电源电流—最大值 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装

onsemi 静态随机存取存储器 1MB 3V BATT BU FUNCT 1,535库存量
最低: 1
倍数: 1

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SPI 5.5 V 2.5 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube

onsemi 静态随机存取存储器 1MB 3V HOLD FNC TSSOP 2,810库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

1 Mbit 128 k x 8 20 MHz SPI 5.5 V 2.5 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi 静态随机存取存储器 Serial 静态随机存取存储器 Memory, Ultra-Low-Power, 1 Mb, 1.7 - 2.2 V 3000 Units/Tape & Reel 2,823库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SPI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi 静态随机存取存储器 1MB UltraLow Pwr Serial 静态随机存取存储器 1,578库存量
1,100预期 2026/2/17
最低: 1
倍数: 1

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SPI 5.5 V 2.5 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube

onsemi 静态随机存取存储器 Serial 静态随机存取存储器 Memory, Ultra-Low-Power, 1 Mb, 1.7 - 2.2 V 100 Units/Tube 190库存量
最低: 1
倍数: 1

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SPI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube

onsemi 静态随机存取存储器 1MB 3V BATT BU FUNCT 43库存量
6,000预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SPI 5.5 V 2.5 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel, Cut Tape, MouseReel