NTMFSC006N12MC

onsemi
863-NTMFSC006N12MC
NTMFSC006N12MC

制造商：

说明：
MOSFET 120V PTNG IN 5X6 DUALCOOL

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 2,411

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥26.8827 ¥26.88
¥17.5376 ¥175.38
¥12.1588 ¥1,215.88
¥10.4186 ¥5,209.30
¥9.9214 ¥9,921.40
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥9.6728 ¥29,018.40

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
2 Channel
120 V
92 A
6.1 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
48 nC
+ 150 C
104 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 5.7 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5.3 ns
系列: NTMFSC006N12MC
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 25.5 ns
典型接通延迟时间: 15.2 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NTMFSC006N双路Cool N沟道功率MOSFET

onsemi NTMFSC006N Dual Cool™ N沟道功率MOSFET采用双面冷却封装的功率Trench® 工艺。这款功率MOSFET具有超低RDS(ON) 、120V漏极至源极电压、±20V栅极至源极电压、1459A脉冲漏极电流和150°C最大工作结温/存储温度。NTMFSC006N双路Cool™ N沟道功率MOSFET 100%经过UIL测试，符合RoHS指令。典型应用包括交流-直流商用电源、一次侧直流-直流FET、同步整流器和直流-直流转换。

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