NVMFS5830NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFS5830NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5830NLWFT1G-UM
Price: 21.74 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

863-FS5830NLWFT1G-UM

制造商编号：

NVMFS5830NLWFT1G-UM

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET Power MOSFET 40V, 185A, 2.3 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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	¥15.8765	¥158.77
	¥11.7407	¥1,174.07
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	¥8.4411	¥8,441.10
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	¥8.4411	¥12,661.65

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	185 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.4 V
Qg-栅极电荷:	113 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	158 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	27 ns
正向跨导 - 最小值:	38 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	32 ns
系列:	NVMFS5830NL
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	40 ns
典型接通延迟时间:	22 ns

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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