JFE2140 N沟道JFET

Texas Instruments JFE2140 N沟道 JFET是Burr-Brown™ 匹配对分立式JFET,采用TI的高性能模拟双极工艺制造而成。JFE2140在所有电流范围内均具有出色的噪声性能,用户可将静态电流设置为50μA至20mA。当偏置为5mA时,JFE2140产生0.9nV/√Hz的输入参考噪声,从而实现了超低噪声性能和极高的输入阻抗 (> 1TΩ)。此外,JFET之间的匹配经过测试达到 ±4mV,确保了差分对配置的低失调和高CMRR性能。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 配置 Vds-漏源极击穿电压 Vgs-栅源极击穿电压 闸/源截止电压 Vgs=0时的漏-源电流 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Texas Instruments JFET Dual ultra-low nois e low-gate-current 2,543库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V - 1.2 V 23 mA - 40 C + 125 C JFE2140 Reel, Cut Tape
Texas Instruments JFET Dual ultra-low nois e low-gate-current 3,532库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V - 1.15 V 50 mA - 40 C + 125 C JFE2140 Reel, Cut Tape, MouseReel