H片式铝聚合物电容器
Würth Elektronik H片式铝聚合物电容器具有±20%的电容容差,根据型号的不同,电容范围为15µF至560µF。H片式电容器在+105°C下可耐受2000小时,并具有高纹波电流能力。这些电容器具有3mΩ至40mΩ电阻,漏电流为40uA至200uA。Würth Elektronik H片式铝聚合物电容器非常适合用于噪声抑制、USB充电器、智能电表和移动电源应用。
Würth Elektronik H片式铝聚合物电容器具有±20%的电容容差,根据型号的不同,电容范围为15µF至560µF。H片式电容器在+105°C下可耐受2000小时,并具有高纹波电流能力。这些电容器具有3mΩ至40mΩ电阻,漏电流为40uA至200uA。Würth Elektronik H片式铝聚合物电容器非常适合用于噪声抑制、USB充电器、智能电表和移动电源应用。