STx24N60DM2 N 沟道 FDmesh II Plus™ 功率 MOSFET

意法半导体 MDmesh DM2 系列是意法半导体最新的快速恢复 二极管系列 600V 功率 MOSFET，特别适合 ZVS 相移桥 拓扑。它们具有非常小的恢复电荷和时间(Qrr, trr)， 并有低 20% 的 RDS（on） （相比前一代产品）。高 dV/dt 强度（40V/ns），确保更高系统可靠性。
了解更多

结果: 41
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
数据表
83库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 130 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 39 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 1.38 Ohm typ., 3.5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
数据表
1,411库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.5 A 1.38 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 8.6 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
数据表
309库存量
2,000预期 2026/3/16
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 370 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
数据表
136库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11 A 299 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 120 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
数据表
836库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 310 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 19 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa
数据表
457库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 130 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
数据表
325库存量
1,000预期 2026/2/12
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packa
数据表
562库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
数据表
721库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 370 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
10库存量
1,000预期 2026/4/13
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 93 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
数据表
485库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 200 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement FDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
数据表
299库存量
600预期 2026/5/18
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 130 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 39 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
数据表
2,000预期 2026/3/23
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 440 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 125 mOhm typ., 21 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 3,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 140 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 35 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
数据表
交货期 16 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
数据表
无库存交货期 16 周
最低： 600
倍数： 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 130 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube