NTMFS002N10MCLT1G

Name: onsemi NTMFS002N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-TMFS002N10MCLT1G
Price: 36.31 RMB
Availability: InStock

Mouser编号：

863-TMFS002N10MCLT1G

制造商编号：

NTMFS002N10MCLT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PTNG 100V LL SO8FL HE

数据表:

NTMFS002N10MCLT1G 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	175 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	97 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	3 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NTMFS002N10MCL
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors

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数据表

NTMFS002N10MCLT1G 数据表 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-7-9 (PDF)

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTMFS002N10MCL MOSFET

安森美 (onsemi) NTMFS002N10MCL MOSFET是一款工业级功率MOSFET，采用5mm x 6mm扁平引线封装。该MOSFET设计用于高效的紧凑型设计，具有较高的散热性能。NTMFS002N10MCL具有低R_DS(on)、低QG、电容，并符合RoHS指令。

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥41.0303	¥41.03
	¥21.1762	¥211.76
	¥19.2778	¥1,927.78
	¥16.7918	¥8,395.90
	¥16.4641	¥16,464.10
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥15.7974	¥23,696.10

NTMFS002N10MCLT1G

制造商： onsemi

说明： MOSFET PTNG 100V LL SO8FL HE

规格

文件 (2)

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