PWD5F60高密度功率驱动器

STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器在单一紧凑型系统级封装 (SiP) 中集成了栅极驱动器和四个N通道功率MOSFET，采用双半桥配置。集成式功率MOSFET的漏源导通电阻或RDS (ON) 为1.38Ω，漏源击穿电压为600V。嵌入式栅极驱动器的高侧可方便地通过集成自举二极管供电。PWD5F60功率驱动器的集成度高，因此能在空间受限的应用中高效地驱动负载。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 产品
类型
安装风格
封装 / 箱体
激励器数量
输出端数量
输出电流
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
STMicroelectronics 栅极驱动器 High-density power driver - High voltage full bridge with integrated comparators
数据表
330库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VFQFPN-15 2 Driver 2 Output 3.5 A 10 V 20 V - 40 C + 125 C PWD5F60 Tray
STMicroelectronics 栅极驱动器 High-density power driver - High voltage full bridge with integrated comparators
数据表
403库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VFQFPN-15 2 Driver 2 Output 3.5 A 10 V 20 V - 40 C + 125 C PWD5F60 Reel, Cut Tape