基于氮化镓高电子迁移率晶体管的单片微波集成电路

科锐 基于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)在小占位尺寸封装中实现极宽的带宽。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有出色的性能，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的导热性。与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓高电子迁晶体管具有更高的功率密度和更宽的带宽。
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结果: 5
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数量 RoHS ECAD模型 工作频率
工作电源电压
工作电源电流
增益
类型
安装风格
技术
P1dB - 压缩点
OIP3 - 三阶截点
最小工作温度
最大工作温度
封装
MACOM 射频放大器 GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 2 Watt
数据表
2库存量
50预期 2026/4/24
最低： 1
倍数： 1

20 MHz to 6 GHz 28 V 100 mA 17 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 23 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM 射频放大器 GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 25 Watt
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

20 MHz to 6 GHz 50 V 500 mA 17 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 32 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM 射频放大器 GaN MMIC Power Amp 2.5-6.0GHz, 25 Watt
数据表
9库存量
最低： 1
倍数： 1

2.5 GHz to 6 GHz 28 V 1.2 A 24 dB Power Amplifiers Screw GaN SiC 26 dBm - 55 C + 150 C Tray
MACOM 射频放大器 GaN MMIC Power Amp 6.0-12.0GHz, 25 Watt
数据表
1库存量
10预期 2026/4/24
最低： 1
倍数： 1

6 GHz to 12 GHz 28 V 2 A 34 dB Power Amplifiers Screw GaN 46.2 dBm 22 dBm - 40 C + 150 C Tray
MACOM 射频放大器 GaN MMIC Power Amp 13.75-14.5GHz 25Watt
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

13.75 GHz to 14.5 GHz 40 V 240 mA 24 dB Power Amplifiers Screw GaN - 15 dBm - 40 C + 85 C Tray