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CDM22011-600LRFP SL PBFREE

Name: Central Semiconductor CDM22011-600LRFP SL PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDM22011600LRFPS
Price: 22.47 RMB
Availability: InStock

Mouser编号：

610-CDM22011600LRFPS

制造商编号：

CDM22011-600LRFP SL PBFREE

制造商：

Central Semiconductor

说明：

MOSFET N-Ch 11A PFC FET 600V 4.45nC 0.3Ohm

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数据表:

CDM22011-600LRFP SL PBFREE 数据表

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥25.3911	¥25.39
	¥12.656	¥126.56
	¥11.3339	¥1,133.39
	¥9.1869	¥4,593.45
	¥8.9383	¥8,938.30
	¥8.6897	¥21,724.25

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Central Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	11 A
Rds On-漏源导通电阻:	300 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	23.05 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	25 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	UltraMOS
封装:	Tube
商标:	Central Semiconductor
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
单位重量:	2 g

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RoHS Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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