J系列硅光电倍增管 (SiPM) 传感器

安森美半导体J系列硅光电倍增管 (SiPM) 传感器优化用于高性能定时应用,如ToF-PET(飞行时间正电子发射断层扫描)。得益于增加的微电池密度,J系列传感器可以实现50%的光子探测效率 (PDE),并且灵敏度可以扩展至UV级。这些传感器具有业界领先的暗计数率(低至50kHz/mm2),由于采用大容量CMOS硅工艺,因此具有出色的击穿电压均匀性 (±250mV)。J系列传感器有3mm、4mm和6mm尺寸可供选择,采用TSV芯片级封装,与行业标准无铅笔回流焊接工艺兼容。J系列传感器还采用了安森美半导体独特的快速输出,可实现快速定时功能。

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 安装风格 峰值波长 暗电流 上升时间 最小工作温度 最大工作温度 系列
onsemi 光电二极管 J-SERIES 3MM 35U TSV 27库存量
最低: 1
倍数: 1

Photodiode Arrays SMD/SMT 420 nm 1.9 uA 110 ps - 40 C + 85 C J-Series SIPM
onsemi 光电二极管 J-SERIES 3MM 35U TSV 1,341库存量
3,000预期 2026/2/17
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Photodiode Arrays SMD/SMT 420 nm 1.9 uA 110 ps - 40 C + 85 C J-Series SIPM
onsemi 光电二极管 J-SERIES 6MM 35U TSV 232库存量
最低: 1
倍数: 1

Photodiode Arrays SMD/SMT 420 nm 7.5 uA 250 ps - 40 C + 85 C J-Series SIPM
onsemi 光电二极管 J-SERIES 4MM 35U TSV 5库存量
最低: 1
倍数: 1

Photodiode Arrays SMD/SMT 420 nm 3 uA 110 ps - 40 C + 85 C J-Series SIPM
onsemi 光电二极管 J-SERIES 4MM 35U TSV 无库存交货期 16 周
最低: 3,000
倍数: 3,000
卷轴: 3,000

Photodiode Arrays SMD/SMT 420 nm 3 uA 110 ps - 40 C + 85 C J-Series SIPM
onsemi 光电二极管 J-SERIES 6MM 35U TSV 无库存交货期 16 周
最低: 3,000
倍数: 3,000
卷轴: 3,000

Photodiode Arrays SMD/SMT 420 nm 7.5 uA 250 ps - 40 C + 85 C J-Series SIPM