SSM6K51xNU硅N通道MOSFET

Toshiba SSM6K51xNU硅N沟道MOSFET是Toshiba的各种MOSFET产品组合的各种电路配置和封装的一部分。这些器件具有高速、高性能、低损耗、低导通电阻、小型封装等特性。SSM6K51xNU非常适合用于电源管理开关,具有高速开关功能。它们具有1.5V驱动和低漏极-源极导通电阻。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装

Toshiba MOSFET UDFN6B N-CH 30V 6A 5,276库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 46 mOhms - 12 V, 20 V 2.5 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET UDFN6B N-CH 30V 6A 3,702库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm @ 1.8V 4,165库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 108 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel