High Speed Trench & Fieldstop IGBTs

Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs use TrenchStop™ and Fieldstop technology to provide superb switching performance, very low VCEsat, and low EMI. Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs are ideal for uninterruptible power supplies applications. The IGW25N120H3 IGBT is recommended in combination with SiC Diode IDH15S120 and is also used for solar inverter applications. The IKW15N120H3, IKW30N60H3, and IKW20N60H3 IGBTs are each part of a high speed DuoPack and come with a very soft, fast recovery anti-parallel diode.

结果: 5
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 30A 187W
数据表
5,888库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 60 A 187 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS
数据表
418库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.05 V - 20 V, 20 V 30 A 217 W - 40 C + 175 C HighSpeed 3 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 40A 306W
数据表
235库存量
240预期 2026/5/26
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 80 A 306 W - 40 C + 175 C HighSpeed 3 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS
数据表
51库存量
240预期 2026/3/5
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.05 V - 20 V, 20 V 30 A 217 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT4 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A 170W
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 240
倍数： 240

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 40 A 170 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube