TRENCHSTOP™ 5 S5中速开关IGBT

Infineon TRENCHSTOP™ 5 S5中速开关IGBT是L5和H5之间的链路以及10kHz和40kHz之间切换的地址应用。IGBT具有高效率，更快上市时间周期，降低了电路设计复杂性并优化了PCB物料清单成本。S5封装的特性有助于设计人员实现目标，而无需增加电路复杂性。

结果: 17
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
数据表
552库存量
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
数据表
709库存量
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 S5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
数据表
376库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 S5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trenchstop 5 IGBT
数据表
48库存量
3,120在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
234库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 60

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
3,326库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
数据表
720库存量
最低： 1
倍数： 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 H5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS
数据表
139库存量
1,000预期 2026/7/23
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 270 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trenchstop 5 IGBT
数据表
5库存量
240预期 2026/7/16
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 62 A 188 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trenchstop 5 IGBT
数据表
347库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
389库存量
240预期 2027/4/29
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 79 A 230 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trenchstop 5 IGBT
数据表
372库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
148库存量
240预期 2026/8/13
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 274 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube
Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
142库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 62 A 188 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
数据表
475预期 2026/7/2
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube

Infineon Technologies 绝缘栅双极晶体管(IGBT) INDUSTRY
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 240
倍数： 240

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 S5 Tube