N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V)
数据表
无库存交货期 9 周
最低： 7,000
倍数： 7,000
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.7 A 420 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31.5 nC - 55 C + 150 C 83.3 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
数据表
交货期 15 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 33 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(75V 120V(
数据表

Si Reel, Cut Tape