NVMFWS0D4N04XM单N沟道功率MOSFET
安森美 (onsemi) NVMFWS0D4N04XM单N沟道功率MOSFET，封装尺寸为5mm x 6mm SO8-FL，设计紧凑。这些MOSFET的源漏电压为40V，栅源电压为±20V，耗散功率为197W (TC=25°C)。NVMFWS0D4N04XM功率MOSFET具有低导通电阻 (RDS(on)) 以最小化导通损耗，并具有低电容以最小化驱动损耗。这些MOSFET符合AEC-Q101标准，并可通过PPAP认证。NVMFWS0D4N04XM功率MOSFET无铅、无卤和溴化阻燃剂，符合 RoHS 标准。典型应用包括电机驱动、电池保护、反接电池保护、同步整流、开关电源及功率开关。
