CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET

英飞凌CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET根据超级结（SJ）原理设计，具有低开关和导通损耗。此系列MOSFET具有优异的换向耐受性，因此适合用于硬开关和软开关拓扑结构。CoolMOS™ CM8 650V MOSFET具有低振铃特性及PFC与PWM级通用性，可实现快速设计导入。此系列MOSFET采用先进的芯片连接技术，可简化热管理。CoolMOS™ CM8 650V MOSFET符合RoHS标准，且完全符合JEDEC工业应用标准。典型应用包括LLC谐振转换器、AI服务器、电信电源和数据中心。

结果: 12
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
2,781库存量
剪切带
¥78.083
¥49.1324
¥44.4994
¥39.5387
¥37.7194
卷轴
¥35.4029
最低： 1
倍数： 1
: 2,000
Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 40 mOhms 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
2,195库存量
剪切带
¥227.7967
¥157.1604
¥148.2221
¥140.3686
卷轴
¥140.3686
最低： 1
倍数： 1
: 750
Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 270 A 8 mOhms 20 V 4.7 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.249 kW Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
2,269库存量
¥141.6116
¥81.3148
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 116 A 18 mOhms 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
587库存量
¥112.3333
¥62.5342
¥62.3647
¥60.2177
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
663库存量
剪切带
¥131.5998
¥78.1621
¥74.0263
卷轴
¥74.0263
最低： 1
倍数： 1
: 750
Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 127 A 18 mOhms 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
649库存量
2,000预期 2026/10/26
剪切带
¥97.2704
¥54.5112
¥52.771
¥49.8782
卷轴
¥49.8782
最低： 1
倍数： 1
: 2,000
Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 101 A 25 mOhms 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
298库存量
¥86.2755
¥46.895
¥42.7592
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 70 mOhms 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
570库存量
¥66.3423
¥34.9848
¥32.1711
¥32.092
¥30.1032
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 60 mOhms 20 V 4.7 V 52 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
153库存量
¥145.9056
¥84.5353
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 116 A 18 mOhms 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
323库存量
¥115.7233
¥64.6812
¥62.6133
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
516库存量
¥89.0892
¥48.3866
¥44.748
¥44.6689
¥44.4203
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 40 mOhms 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
2,000预期 2027/4/15
剪切带
¥127.6335
¥75.4388
¥71.2239
¥67.3254
卷轴
¥67.3254
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,000
Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 134 A 18 mOhms 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel