CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET

英飞凌CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET根据超级结（SJ）原理设计，具有低开关和导通损耗。此系列MOSFET具有优异的换向耐受性，因此适合用于硬开关和软开关拓扑结构。CoolMOS™ CM8 650V MOSFET具有低振铃特性及PFC与PWM级通用性，可实现快速设计导入。此系列MOSFET采用先进的芯片连接技术，可简化热管理。CoolMOS™ CM8 650V MOSFET符合RoHS标准，且完全符合JEDEC工业应用标准。典型应用包括LLC谐振转换器、AI服务器、电信电源和数据中心。

结果: 12
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
481库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 60 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 52 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
606库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 40 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
689库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 127 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
1,800库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 134 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
1,711库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 101 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
1,851库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 40 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
566库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 116 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
215库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 116 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
149库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 70 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
176库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
3,000在途量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 270 A 8 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.249 kW Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
数据表
469在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube