RQxAT P沟道MOSFET

ROHM Semiconductor RQxAT P沟道MOSFET采用表面贴装封装，具有低导通电阻，且100%经过Rg和UIS测试。 此系列P沟道MOSFET的栅源电压为 ±20V。RQ3N025AT和RQ5L030AT MOSFET的最大漏源导通电阻分别为240mΩ 和99mΩ 。此系列P沟道MOSFET符合RoHS标准，且不含卤素。RQ3N025AT和RQ5L030AT MOSFET的漏源电压分别为-80V和-60V。该系列P沟道MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。典型应用包括开关和电机驱动器。