碳化硅1200V MOSFET和二极管

Wolfspeed碳化硅 (SiC) 1200V MOSFET与二极管可在要求苛刻的应用中实现了更高效率的强大组合。这些MOSFET和肖特基二极管设计用于大功率应用。1200V SiC MOSFET具有稳定的Rds(on) 过热和雪崩耐受性。这些MOSFET配备坚固耐用的体二极管，无需外部二极管，由于支持15V栅极驱动，因此易于驱动。1200 V SiC MOSFET提高了系统级效率，降低了开关和传导损耗，提高了系统级功率密度。

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封装 / 箱体
Wolfspeed 碳化硅肖特基二极管 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x5A
数据表
2,674库存量
2,296在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial
数据表
102库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7
Wolfspeed 碳化硅肖特基二极管 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 10A
数据表
3,394预期 2026/7/31
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Wolfspeed 碳化硅肖特基二极管 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A
数据表
2,838预期 2026/9/25
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Wolfspeed 碳化硅肖特基二极管 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x10A
数据表
862在途量
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Wolfspeed 碳化硅肖特基二极管 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x20A
数据表
836库存量
450预期 2026/12/14
最低： 1
倍数： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Wolfspeed 碳化硅MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
数据表
交货期 13 周
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen3
数据表

SiC MOSFETS SiC
Wolfspeed 碳化硅MOSFET SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-247-4, Automotive
数据表

SiC MOSFETS SiC TO-247-4