栅极驱动器

Diodes Incorporated栅极驱动器适用于电力系统和电机驱动领域的诸多应用。这些栅极驱动器可作为微控制器和IGBT或MOSFET电源开关之间的接口。这些栅极驱动器具有出色的驱动特性,并可控制击穿电压。

半导体类型

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结果: 271
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 412库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 1,547库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000
Diodes Incorporated MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V 5,512库存量
2,500预期 2026/6/12
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Diodes Incorporated MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V 2,500库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Diodes Incorporated MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V 64库存量
5,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V 1,821库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V 22库存量
最低: 1
倍数: 1
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V 104库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V 93库存量
2,000预期 2027/3/19
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS 41V-60V 111库存量
2,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 551库存量
5,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W 588库存量
2,000预期 2026/10/19
最低: 1
倍数: 1
最大: 130
: 2,000

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF 3,810库存量
6,000预期 2026/6/26
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 2.6W 57A 344库存量
12,500预期 2027/9/17
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 1,699库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs 2,497库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC 960库存量
3,000预期 2027/1/15
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC 606库存量
6,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 612库存量
20,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 2,944库存量
12,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A 918库存量
2,500预期 2026/8/19
最低: 1
倍数: 1
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A 378库存量
10,000在途量
最低: 1
倍数: 1
最大: 620
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 1,833库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 32库存量
6,000预期 2027/2/19
最低: 1
倍数: 1
: 3,000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 9库存量
5,000预期 2026/7/17
最低: 1
倍数: 1
: 2,500